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产品种类: | MOSFET |
Id-连续漏极电流: | 8.1 A |
Vds-漏源极击穿电压: | - 30 V |
Rds On-漏源导通电阻: | 24 mOhms |
晶体管极性: | P-Channel |
Vgs-栅源极击穿电压 : | 20 V |
最大工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 2.5 W |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOIC-8 Narrow |
封装: | Reel |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
下降时间: | 12 ns, 16 ns |
最小工作温度: | - 55 C |
上升时间: | 8 ns, 35 ns |
系列: | SI4435DDY |
工厂包装数量: | 2500 |
典型关闭延迟时间: | 45 ns, 40 ns |
零件号别名: | SI4435DDY-GE3 |