类别家庭系列FET 型FET 特点漏极至源极电压(Vdss)电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° CId 时的 Vgs(th)（最大）闸电荷(Qg) @ Vgs输入电容 (Ciss) @ Vds功率 - 最大安装类型封装/外壳供应商设备封装包装

分离式半导体产品

FET - 单

HEXFET®

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

100V

33A

44 毫欧 @ 16A, 10V

4V @ 250µA

71nC @ 10V

1960pF @ 25V

130W

表面贴装

TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB

D2PAK

带卷 (TR)