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产品种类: | MOSFET |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOIC-8 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | - 40 V |
Id-连续漏极电流: | - 10.5 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 25 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
Qg-栅极电荷: | 73 nC |
封装: | Reel |
Pd-功率耗散: | 2.5 W |
工厂包装数量: | 4000 |
晶体管类型: | 1 P-Channel |
单位重量: | 540 mg |