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产品种类: | MOSFET |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-23-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | - 8 V |
Id-连续漏极电流: | 3.5 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 52 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 8 V |
最大工作温度: | + 150 C |
封装: | Cut Tape |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
下降时间: | 25 ns |
最小工作温度: | - 55 C |
Pd-功率耗散: | 1.25 W |
产品: | MOSFET Small Signal |
上升时间: | 25 ns |
晶体管类型: | 1 P-Channel |
典型关闭延迟时间: | 55 ns |
典型接通延迟时间: | 13 ns |
单位重量: | 1.438 g |